参数资料
| 型号： | DG201HSDJ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16DIP |
| 标准包装： | 500 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 90 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 10.8 V ~ 16.5 V， ±15V |
| 电流 - 电源： | 10mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-DIP |
| 包装： | 散装 |
Document Number: 70038
S-71241–Rev. G, 25-Jun-07
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG201HS
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless otherwise noted
rDS(on) vs. VD and Power Supply Voltages
rDS(on) vs. VD and Single Power Supply Voltages
Input Switching Threshold vs. Supply Voltage
- 20 - 16 - 12
- 8
- 4
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
70
± 5 V
VD – Drain Voltage (V)
± 10 V
± 15 V
± 20 V
r DS(on)
–
Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
02468
10
12
14
16
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
VD – Drain Voltage (V)
V+ = 5 V
7 V
10 V
12 V
15 V
r DS(on)
–
Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
(V)
TH
Positive Supplies (V)
4
6
8
10
1214
1618
20
rDS(on) vs. VD and Temperature
Leakage Currents vs. Temperature
Switching Time vs. Power Supply Voltage
0
10
20
30
40
50
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
VD – Drain Voltage (V)
125 °C
85 °C
- 55 °C
0 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
r DS(on)
–
Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
25 °C
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80
100 120 140
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
ID(on)
Leakage
Temperature (°C)
IS(off), ID(off)
30
35
40
45
50
55
± 4
± 6
± 8
± 10
± 12
± 14
± 16
± 18
± 20
Supply Voltage (V)
Switching
Time
(ns)
tON
tOFF
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| DG201HSDQ-T1-E3 | 功能描述:模拟开关 IC Quad SPST Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG201HSDY | 功能描述:模拟开关 IC Quad SPST Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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