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参数资料
| 型号： | DG2034DN-T1-E4 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MULTIPLEXER 4X1 12QFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 多路复用器 |
| 电路： | 1 x 4:1 |
| 导通状态电阻： | 5.5 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 12-QFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Document Number: 72418
S-80164-Rev. D, 28-Jan-08
www.vishay.com
7
Vishay Siliconix
DG2034
TEST CIRCUITS
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?72418.
Figure 4. Charge Injection
CL
1 nF
Rg
VO
V+
COM
IN
Vg
GND
OFF
ON
OFF
VO
ΔVO
IN
IN dependent on switch configuration Input polarity determined
by sense of switch.
V+
VIN = 0 - V+
Q =
ΔVO x CL
NO or NC
Figure 5. Crosstalk
NO or NC
XTALK Isolation = 20 log
VOUT
VIN
C = RF bypass
COM
VS
0 V or 2.4 V
IN
50
Ω
Rg = 50 Ω
V+
GND
C
V+
VIN
NC or NO
VOUT
Figure 6. Off Isolation
RL
50
Ω
COM
0 V, 2.4 V
V+
Rg = 50 Ω
GND
Off Isolation = 20 log
VCOM
VNO/NC
IN
NO or NC
C
C = RF Bypass
Figure 7. Source/Drain Capacitances
NO or NC
IN
COM
V+
GND
0 V, 2.4 V
Meter
HP4192A
Impedance
Analyzer
or Equivalent
C
V+
f = 1 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DG2035DQ-T1-E3 | 功能描述:模拟开关 IC Low Volt Dual SPDT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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| DG2037_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Low-Voltage, Low rON, Dual SPST Analog Switch |
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