参数资料
| 型号： | DG211BDQ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP |
| 标准包装： | 360 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 160 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 25 V，±4.5 V ~ 22 V |
| 电流 - 电源： | 10µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
Document Number: 70040
S11-0179-Rev. J, 07-Feb-11
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
DG211B, DG212B
SPECIFICATIONS
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 15 V, V- = - 15 V
VL = 5 V, VIN = 2.4 V, 0.8 V
e
Temp.a
D Suffix
- 40 °C to 85 °C
Unit
Min.b
Typ.c
Max.b
Analog Switch
Analog Signal Ranged
VANALOG
Full
- 15
15
V
Drain-Source
On-Resistance
RDS(on)
VD = ± 10 V, IS = 1 mA
Room
Full
45
85
100
RDS(on) Match
R
DS(on)
Room
2
Source Off Leakage Current
IS(off)
VS = ± 14 V, VD = ± 14 V
Room
Full
- 0.5
- 5
± 0.01
0.5
5
nA
Drain Off Leakage Current
ID(off)
VD = ± 14 V, VS = ± 14 V
Room
Full
- 0.5
- 5
± 0.01
0.5
5
Drain On Leakage Current
ID(on)
VS = VD = ± 14 V
Room
Full
- 0.5
- 10
± 0.02
0.5
10
Digital Control
Input Voltage High
VINH
Full
2.4
V
Input Voltage Low
VINL
Full
0.8
Input Current
IINH or IINL
VINH or VINL
Full
- 1
1
A
Input Capacitance
CIN
Room
5
pF
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
tON
VS = 10 V
see figure 2
Room
300
ns
Turn-Off Time
tOFF
Room
200
Charge Injection
Q
CL = 1000 pF, Vgen = 0 V, Rgen = 0
Room
1
pC
Source-Off Capacitance
CS(off)
VS = 0 V, f = 1 MHz
Room
5
pF
Drain-Off Capacitance
CD(off)
Room
5
Channel-On Capacitance
CD(on)
VD = VS = 0 V, f = 1 MHz
Room
16
Off Isolation
OIRR
CL = 15 pF, RL = 50
VS = 1 VRMS, f = 100 kHz
Room
90
dB
Channel-to-Channel Crosstalk
XTALK
Room
95
Power Supply
Positive Supply Current
I+
VIN = 0 or 5 V
Room
Full
10
50
A
Negative Supply Current
I-
Room
Full
- 10
- 50
Logic Supply Current
IL
Room
Full
10
50
Power Supply Range for
Continuous Operation
VOP
Full
± 4.5
± 22
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DG211CUE+T | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP |
| DG211CYT | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC |
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| DG213DQ-E3 | IC SWITCH QUAD CMOS 16TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DG211BDQ-T1 | 功能描述:模拟开关 IC Quad SPST Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG211BDQ-T1-E3 | 功能描述:模拟开关 IC Quad SPST Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG211BDY | 功能描述:模拟开关 IC Quad SPST Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG211BDY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SWITCH QUAD SPST SMD SOIC16 211 |
| DG211BDY-E3 | 功能描述:模拟开关 IC Quad SPST Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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