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参数资料
| 型号： | DG212BDQ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP |
| 标准包装： | 360 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NO |
| 导通状态电阻： | 160 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 25 V，±4.5 V ~ 22 V |
| 电流 - 电源： | 10µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
www.vishay.com
4
Document Number: 70040
S11-0179-Rev. J, 07-Feb-11
Vishay Siliconix
DG211B, DG212B
Notes:
a. Room = 25 °C, Full = as determined by the operating temperature suffix.
b. The algebraic convention whereby the most negative value is a minimum and the most positive a maximum, is used in this data sheet.
c. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
d. Guaranteed by design, not subject to production test.
e. VIN = input voltage to perform proper function.
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
SPECIFICATIONS (for Single Supply)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 12 V, V- = 0 V
VL = 5 V, VIN = 2.4 V, 0.8 V
e
Temp.a
D Suffix
- 40 °C to 85 °C
Unit
Min.b
Typ.c
Max.b
Analog Switch
Analog Signal Ranged
VANALOG
Full
0
12
V
Drain-Source
On-Resistance
RDS(on)
VD = 3 V, 8 V, IS = 1 mA
Room
Full
90
160
200
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
tON
VS = 8 V
see figure 1
Room
300
ns
Turn-Off Time
tOFF
Room
200
Charge Injection
Q
CL = 1 nF, Vgen = 6 V, Rgen = 0
Room
4
pC
Power Supply
Positive Supply Current
I+
VIN = 0 or 5 V
Room
Full
10
50
A
Negative Supply Current
I-
Room
Full
- 10
- 50
Logic Supply Current
IL
Room
Full
10
50
Power Supply Range for
Continuous Operation
VOP
Full
+ 4.5
+ 25
V
RDS(on) vs. VD and Power Supply Voltages
- 20 - 16 - 12
- 8
- 4
0
4
8
12
16
20
40
50
60
70
80
90
100
110
± 5 V
VD - Drain Voltage (V)
± 10 V
± 15 V
± 20 V
30
20
10
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
RDS(on) vs. VD and Temperature
85 °C
0
10
20
30
40
50
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
VD - Drain Voltage (V)
125 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
60
70
80
90
100
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(Ω
)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DG212BDY-T1 | 功能描述:模拟开关 IC Quad CMOS SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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