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参数资料
| 型号： | DG213 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Quad Complementary CMOS Analog Switch(四路单刀单掷CMOS模拟开关) |
| 中文描述： | 四互补CMOS模拟开关（四路单刀单掷的CMOS模拟开关） |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | DG213 |
DG213
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 70662
S-00787
—
Rev. F, 17-Apr-00
Voltages Referenced to V
–
V+
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Digital Inputs
a
V
S
, V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Current, Any Terminal
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Current, S or D
(Pulsed at 1 ms, 10% duty cycle max)
Storage Temperature
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44 V
25 V
(V
–
)
–
2 V to (V+) +2 V
or 30 mA, whichever occurs first
30 mA
100 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
65 to 125 C
Power Dissipation (Package)b
16-Pin Plastic DIP
c
16-Pin Narrow SOIC
d
16-Pin TSSOP
d
470 mW
640 mW
500 mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Notes:
a.
Signals on S
, D
, or IN
exceeding V+ or V
–
will be clamped by internal
diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.
All leads welded or soldered to PC Board.
Derate 6.5 mW/ C above 75 C
Derate 7.6 mW/ C above 75 C
b.
c.
d.
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
D Suffix
–
40 to 85 C
Parameter
Symbol
V+ = 15 V, V
–
=
–
15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
e
Temp
a
Min
c
Typ
b
Max
c
Unit
Analog Switch
Analog Signal Range
d
V
ANALOG
Full
V
–
V+
V
Drain-Source On-Resistance
r
DS(on)
V
D
=
10 V, I
S
= 1 mA
Room
Full
45
60
85
r
DS(on)
Match
r
DS(on)
Room
1
2
Source Off Leakage Current
I
S(off)
V
S
=
14 V, V
D
=
14 V
Room
Full
–
0.5
–
5
0.01
0.5
5
Drain Off Leakage Current
I
D(off)
V
D
=
14 V, V
S
=
14 V
Room
Full
–
0.5
–
5
0.01
0.5
5
nA
Drain On Leakage Current
I
D(on)
V
S
= V
D
= 14 V
Room
Full
–
0.5
–
10
0.02
0.5
10
Digital Control
Input Voltage High
V
INH
Full
2.4
Input Voltage Low
V
INL
Full
0.8
V
Input Current
I
INH
or I
INL
V
INH
or V
INL
Full
–
1
1
A
Input Capacitance
C
IN
Room
5
pF
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
t
ON
V
= 10 V
See Figure 2
Room
85
130
Turn-Off Time
t
OFF
Room
55
100
ns
Break-Before-Make Time Delay
t
D
V
S
= 10 V, See Figure 3
Room
15
25
Charge Injection
Q
C
L
= 1000 pF, V
g
= 0 V, R
g
= 0
Room
1
pC
Source-Off Capacitance
C
S(off)
Room
5
Drain-Off Capacitance
C
D(off)
V
S
= 0 V, f = 1 MHz
Room
5
pF
Channel On Capacitance
C
D(on)
V
D
= V
S
= 0 V, f = 1 MHz
Room
16
Off Isolation
OIRR
C
= 15 pF, R
= 50
V
S
= 1 V
RMS
, f = 100 kHz
Room
90
Channel-to-Channel Crosstalk
X
TALK
Room
95
dB
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PDF描述 |
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参数描述 |
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