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参数资料
| 型号： | DG2515DQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 4 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 10nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Document Number: 73453
S-82589-Rev. B, 27-Oct-08
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG2515, DG2516
Not for New Design
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
Switching Time vs. Temperature
Off-Isolation and Crosstalk vs. Frequency
0
5
10
15
20
25
30
35
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
RL = 50 Ω
/
t
N
O
(
s)
e
mi
T
g
ni
h
cti
w
S
-
t
F
O
tOFF V+ = 2.7 V
Temperature (°C)
tON V+ = 4.2 V
100K
10M
100M
1G
1M
Frequency (Hz)
)
B
d(
X
,
R
RI
O
K
L
A
T
- 90
- 80
- 70
- 60
- 50
- 40
- 30
- 20
- 10
0
OIRR
V+ = 5 V
RL = 50 Ω
XTALK
Insertion Loss vs. Frequency
Charge Injection vs. Analog Voltage
100K
10M
100M
1G
1M
Frequency (Hz)
Loss
(dB)
- 12
- 10
- 8
- 6
- 4
- 2
0
V+ = 5 V
RL = 50 Ω
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
01
2
3
45
VCOM - Analog Voltage (V)
)
C
p(
n
oit
c
ej
nI
e
gr
a
h
C
-
Q
V+ = 5 V
V+ = 3 V
Switching Threshold vs. Supply Voltage
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
123
456
V+ - Supply Voltage (V)
r
h
T
g
ni
h
cti
w
S
-)
V(
dl
o
h
s
e
V
T
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DG2516 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:3-Ω, 235-MHz Bandwidth, Dual SPDT Analog Sw |
| DG2516DQ-T1-E3 | 功能描述:模拟开关 IC Low Volt Dual SPDT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| DG2517 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:3-Ω, High Bandwidth, Dual SPDT Analog Switch |
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