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参数资料
| 型号： | DG271BDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | High-Speed Quad Monolithic SPST CMOS Analog Switch |
| 中文描述： | 高速四单片SPST CMOS模拟开关 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | DG271BDY-T1-E3 |
DG271B
Vishay Siliconix
Document Number: 70966
S-42137—Rev. B, 15-Nov-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
20
16
12
8
4
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
70
5 V
r
DS(on)
vs. V
D
and Power Supply Voltages
V
D
Drain Voltage (V)
10 V
15 V
20 V
0
10
20
30
40
50
15
10
5
0
5
10
15
r
DS(on)
vs. V
D
and Temperature
V
D
Drain Voltage (V)
125 C
85 C
25 C
55 C
0 C
V+ = 15 V
V
=
15 V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
)
V
Input Switching Threshold vs. Supply Voltage
Positive/Negative Supplies (V)
4
8
10
12
14
16
18
20
Leakage Currents vs. Temperature
Temperature ( C)
L
55
35
15
5
25
45
65
85
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
105
125
I
S(off),
I
D(off)
I
D(on)
55
25
0
25
50
75
100
125
30
35
40
45
50
55
Temperature ( C)
Switching Times vs. Temperature
S
t
ON
t
OFF
V+ = 15 V
V
=
15 V
30
35
40
45
50
55
4
6
8
12
14
16
18
20
Switching Time vs. Power Supply Voltage
Supply Voltage (V)
S
t
ON
t
OFF
10
6
r
D
D
r
D
D
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