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参数资料
| 型号： | DG2737DN-T1-E4 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWTICH DUAL SPST 8-MINIQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPST - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 8 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.3 V ~ 4.3 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-UFQFN |
| 供应商设备封装： | 8-迷你型QFN（1.4x1.4） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG2737DN-T1-E4DKR |
www.vishay.com
4
Document Number: 68801
S-82643-Rev. B, 03-Nov-08
Vishay Siliconix
DG2737, DG2738, DG2739
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
RON vs. VD and Supply Voltage
Supply Current vs. Temperature
Leakage Current vs. Temperature
VD - Analog Voltage (V)
R
ON
-
On-Resistance
(
Ω
)
0
5
10
15
20
25
30
35
01
23
45
V+ = 2.7V
V+ = 3 V
V+ = 2.3V
0
5
10
15
20
25
30
35
01
23
45
V+ = 2.7 V
V+ = 3 V
V+ = 3.6 V
V+ = 4.3 V
V+ = 2.3 V
V+ = 2.5 V
Temperature (°C)
I+
-
Supply
Current
(nA)
40
45
50
55
60
65
70
75
80
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
V+ = 4.3 V
Temperature (°C)
Leakage
Current
(pA)
1
10
100
1000
10 000
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
V + = + 4.3 V
IS(OFF)
ID(OFF)
ID(ON)
RON vs. VD and Temperature
Leakage vs. Analog Voltage
Charge Injection vs. Analog Voltage
VD - Analog Voltage (V)
R
ON
-
On-Resistance
(
Ω
)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
- 40 °C
+ 85 °C
V+ = 3.0 V
+ 25 °C
VD, V - Analog Voltage (V)
Leakage
Current
(pA)
- 200
- 150
- 100
- 50
0
50
100
150
200
01
23
45
V+ = + 4.3 V
ID(OFF)
ID(ON)
IS(OFF)
S
VD - Analog Voltage (V)
Q
-
Charge
Injection
(pC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
01
23
45
CL =1 nF
Drain
V+ = + 2.7 V
V+ = + 2.3 V
V+ = + 3 V
V+ = + 3.6 V
V+ = + 4.3 V
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