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参数资料
| 型号： | DG308BDJ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD CMOS 16DIP |
| 标准包装： | 500 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 160 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 12V，±15V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-PDIP |
| 包装： | 管件 |
Document Number: 70047
S11-0303-Rev. G, 28-Feb-11
www.vishay.com
7
Vishay Siliconix
DG308B, DG309B
TEST CIRCUITS
Figure 2. Switching Time
50 %
0 V
12 V
tOFF
tON
VO
tr < 20 ns
tf < 20 ns
Logic
Input
Switch
Output
90 %
CL
35 pF
RL
1 k
VO = VS
RL + RDS(on)
RL
VS = + 3 V
VO
V-
V+
IN
S
D
12 V
- 15 V
GND
+ 15 V
Figure 3. Off Isolation
S
IN
50
D
Rg = 50
VS
VO
0 V, 15 V
Off Isolation = 20 log
VS
VO
V+
- 15 V
GND
V-
C
+ 15 V
Figure 4. Channel-to-Channel Crosstalk
IN1
0 V, 15 V
VO
+ 15 V
- 15 V
GND
V+
V-
NC
XTALK Isolation = 20 log
C
VS
C
VO
0 V, 15 V
50
VS
S1
IN2
S2
Rg= 50
D1
D2
C = RF bypass
50
Figure 5. Charge Injection
CL
1000 pF
Vg
12 V
D
V+
V-
Rg
- 15 V
GND
IN
S
VO
+ 15 V
VO
INX
ON
OFF
VO = measured voltage error due to charge injection
The charge injection in coulombs is Q = CL x VO
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