参数资料
型号: DG309BDY-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 12/16页
文件大小: 0K
描述: IC SWITCH QUAD CMOS 16SOIC
标准包装: 2,500
功能: 开关
电路: 4 x SPST - NO
导通状态电阻: 160 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 12V,±15V
电流 - 电源: 1µA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC N
包装: 带卷 (TR)
Document Number: 70047
S11-0303-Rev. G, 28-Feb-11
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG308B, DG309B
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
RDS(on) vs. VD and Power Supply Voltages
RDS(on) vs. VD and Single Power Supply Voltages
Leakage Currents vs. Temperature
- 20 - 16 - 12
- 8
- 4
0
4
8
12
16
20
40
50
60
70
80
90
100
110
± 5 V
VD - Drain Voltage (V)
± 10 V
± 15 V
± 20 V
30
20
10
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
02468
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
VD - Drain Voltage (V)
250
V+ = 5 V
7 V
10 V
12 V
15 V
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
- 55
25
45
5
- 15
65
- 35
85
105 125
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VS, VD = ± 14 V
IS(off), ID(off)
1 nA
10 pA
1 pA
Temperature (°C)
I S,
I D
-Current
100 pA
RDS(on) vs. VD and Temperature
Leakage Currents vs. Analog Voltage
QS, QD - Charge Injection vs. Analog Voltage
0
10
20
30
40
50
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
VD - Drain Voltage (V)
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
60
70
80
90
100
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
ID(on)
- 20
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
20
Analog Voltage
I S,
I D
-Current
(pA)
40
30
20
10
0
- 10
- 20
- 30
- 40
IS(off), ID(off)
V+ = 22 V
V- = - 22 V
TA = 25 °C
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
30
20
10
0
- 10
- 20
- 30
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V+ = 12 V
V- = 0 V
Analog Voltage (V)
Q
-
Charge
(pC)
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PDF描述
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