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参数资料
| 型号： | DG309DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST/CMOS 16SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 100 欧姆 |
| 电压电源： | 双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±15V |
| 电流 - 电源： | 10µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Document Number: 70046
S11-0303-Rev. G, 28-Feb-11
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
DG308A, DG309
SCHEMATIC DIAGRAM (Typical Channel)
Figure 1.
SPECIFICATIONSa
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Specified
V+ = 15 V, V- = - 15 V
VIN = 3.5 V or 11 V
f
Temp.b
Typ.c
A Suffix
- 55 °C to 125°C
C, D Suffix
Unit
Min.d
Max.d
Min.d
Max.d
Analog Switch
Analog Signal Rangee
VANALOG
Full
- 15
15
- 15
15
V
Drain-Source
On-Resistance
RDS(on)
VD = ± 10 V, IS = 1 mA
Room
Full
60
100
150
100
125
Source Off Leakage Current
IS(off)
VS = ± 14 V, VD = ± 14 V
Room
Full
± 0.1
- 1
100
1
100
- 5
- 100
5
100
nA
Drain Off Leakage Current
ID(off)
VD = ± 14 V, VS = ± 14 V
Room
Full
± 0.1
- 1
100
1
100
- 5
- 100
5
100
Drain On Leakage Current
ID(on)
VD = VS = ± 14 V
Room
Full
± 0.1
- 1
100
1
100
- 5
- 200
5
200
Digital Control
Input Current with
Input Voltage High
IINH
VIN = 15 V
Full
0.001
1
A
Input Current with
Input Voltage Low
IINL
VIN = 0 V
Full
- 0.001
- 1
Input Capacitance
CIN
Room
8
pF
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
tON
see figure 2
Room
130
200
ns
Turn-Off Time
tOFF
Room
90
150
Charge Injection
Q
CL = 0.01 F, Rgen = 0 Vgen = 0 V,
Room
- 10
pC
Source-Off Capacitance
CS(off)
f = 140 kHz, VS, VD = 0 V
Room
11
pF
Drain-Off Capacitance
CD(off)
Room
8
Channel-On Capacitance
CD(on)
Room
27
Off-Isolationf
OIRR
RL = 75 , VS = 2 Vp-p, f = 500 kHz
Room
78
dB
Level
Shift/
Drive
VIN
S
V+
GND
V-
D
V-
V+
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