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参数资料
| 型号： | DG411DY-T1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 80 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 44 V，±5 V ~ 20 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG411DY-T1DKR |
Document Number: 70050
S11-1185-Rev. G, 13-Jun-11
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG411, DG412, DG413
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Leakage Current vs. Analog Voltage
Charge Injection vs. Analog Voltage
Input Switching Threshold vs. Supply Voltage
(pA)
I
,I
SD
VD or VS - Drain or Source Voltage (V)
30
10
- 40
- 60
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
20
0
- 50
- 30
- 10
- 20
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VL = 5 V
TA = 25 °C
ID(off)
IS(off)
ID(on)
40
Q
(pC)
VS - Source Voltage (V)
100
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VL = 5 V
CL = 10 nF
CL = 1 nF
(V)
TH
V
3.5
3.0
5
1015
20
25
303540
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
(V+)
6.5 V
5.5 V
VL = 7.5 V
4.5 V
ID, IS Leakages vs. Temperature
Charge Injection vs. Analog Voltage
Switching Time vs. Temperature
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
5
10
15
20
25
30
35
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VL = 5 V
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
R
DS(on)
-Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
VD - Drain Voltage (V)
Q
(pC)
100
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
120
140
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VL = 5 V
CL = 10 nF
CL = 1 nF
Temperature (°C)
(ns)
t ON
,t
OFF
240
180
120
60
0
- 55 - 35
- 15
5
25
45
65
85
105 125
210
150
90
30
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VL = 5 V
VS = 10 V
tOFF
tON
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参数描述 |
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