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参数资料
| 型号： | DG412LDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST LV 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NO |
| 导通状态电阻： | 50 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 12 V，± 3 V ~ 6 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG412LDY-T1-E3DKR |
www.vishay.com
10
Document Number: 71397
S11-0179-Rev. F, 07-Feb-11
Vishay Siliconix
DG411L, DG412L, DG413L
TEST CIRCUITS
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71397.
Figure 4. Charge Injection
CL
10 nF
D
Rg
VO
V+
S
V-
3 V
IN
VL
Vg
GND
OFF
ON
OFF
ON
OFF
VO
ΔVO
INX
Q =
ΔVO x CL
INX dependent on switch configuration Input polarity determined
by sense of switch.
V-
V+
VL
Figure 5. Crosstalk
0 V, 2.4 V
S1
XTALK Isolation = 20 log
VS
VO
D2
C = RF bypass
RL
D1
S2
VS
0 V, 2.4 V
IN1
50
Ω
VO
IN2
Rg = 50 Ω
VL
V+
GND
V -
NC
C
CC
V+
V-
VL
Figure 6. Off-Isolation
RL
50
Ω
D
0 V, 2.4 V
V+
Rg = 50 Ω
GND
V-
C
VS
Off Isolation = 20 log
VS
VO
IN
VL
VO
C
S
C
C = RF Bypass
V-
V+
VL
Figure 7. Source/Drain Capacitances
D
IN
S
VL
V+
GND
V -
C
0 V, 2.4 V
Meter
HP4192A
Impedance
Analyzer
or Equivalent
CC
VLV+
V-
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PDF描述 |
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参数描述 |
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