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参数资料
| 型号： | DG413HSDY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 80 欧姆 |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG413HSDY-T1-E3DKR |
Vishay Siliconix
DG411HS, DG412HS, DG413HS
www.vishay.com
6
Document Number: 72053
S13-1283-Rev. D, 27-May-13
This document is subject to change without notice.
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For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Charge Injection vs. Analog Voltage
Switching Time vs. Temperature
- 100
- 80
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
V - Drain Voltage (V)
V = ± 15 V
V = ± 12 V
Q
-Charge
Injection
(pC)
20
40
60
80
100
120
140
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
85
105
125
T
ON
/T
OFF
(ns)
V+ = 15 V
V - = - 15 V
VL = 5 V
tON
tOFF
Temperature (°C)
Charge Injection vs. Analog Voltage
Switching Time vs. Temperature
- 100
- 80
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
VS - Source Voltage (V)
V = ± 15 V
V = ± 12 V
Q
-Charge
Injection
(pC)
20
40
60
80
100
120
140
- 55
- 35
- 15
5
25
45
65
85
105
125
T
ON
/T
OFF
(ns)
V+ = 12 V
V - = 0 V
VL = 5 V
tON
tOFF
Temperature (°C)
Supply Current vs. Input Switching Frequency
f - Frequency (Hz)
I
SUPPL
Y
100 mA
10 mA
1 mA
100 A
10 A
1 A
100 nA
10 nA
100
1 k
10 k
100 k
1 M
10 M
I+, I -
IL
V+ = 15 V
V - = - 15 V
VL = 5 V
= 1 SW
= 4 SW
10
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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