参数资料
| 型号： | DG4157DN-T1-E4 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH SGL SPDT LV 6-MINIQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x SPDT |
| 导通状态电阻： | 1.2 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 50nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-迷你型QFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG4157DN-T1-E4DKR |
Vishay Siliconix
DG4157
Document Number: 68800
S12-2498-Rev. F, 22-Oct-12
www.vishay.com
5
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TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
Charge Injection vs. Analog Voltage
Switching Time vs. Temperature
- 80
- 60
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
01
23
45
6
Analog Voltage (V)
Q
-
Charge
Injection
(pC)
CL = 1nF
Drain
V+ = + 2.7 V
V+ = + 1.8 V
V+ = + 3.6 V
V+ = + 3 V
V+ = + 5.5 V
V+ = + 4.5 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
- 40
- 20
0
20
40
60
80
Temperature (°C)
t O
N
,t
OFF
-
S
w
itching
Time
(ns)
tOFF V+ = 2.7 V
tOFF V+ = 4.5 V
tON V+ = 2.7 V
tON V+ = 4.5 V
Insertion Loss vs. Frequency
Switching Threshold vs. Supply Voltage
- 16
- 14
- 12
- 10
- 8
- 6
- 4
- 2
0
100K
1M
10M
100M
1G
Frequency (Hz)
Loss
(dB)
V+ = 3 V
RL = 50
Ω
V+ - Supply Voltage (V)
V
T
-
S
w
itching
Threshold
(
V
)
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
VIH
VIL
Off-Isolation and Crosstalk vs. Frequency
100K
1M
10M
100M
1G
Frequency (Hz)
- 90
- 80
- 70
- 60
- 50
- 40
- 30
- 20
- 10
0
OIRR,
X
TALK
(dB)
V+ = 3 V
RL = 50
Ω
OIRR
XTALK
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PDF描述 |
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参数描述 |
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