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参数资料
| 型号： | DG442DY-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NO |
| 导通状态电阻： | 85 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 12V，±15V |
| 电流 - 电源： | 15µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG442DY-T1-E3DKR |
Document Number: 70053
S11-1066-Rev. J, 30-May-11
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG441, DG442
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
RDS(on) vs. VD and Power Supply Voltage
RDS(on) vs. VD and Unipolar
Power Supply Voltage
Crosstalk and Off Isolation vs. Frequency
20
0
- 20
0
20
60
40
80
100
± 15 V
± 20 V
± 5 V
± 8 V
± 10 V
- 15
- 10
- 5
5
10
15
R
DS(on)
-
Dr
ain-So
u
rce
On-Resistance
(Ω
)
VD - Drain Voltage (V)
± 12 V
20
0
50
150
200
100
250
300
V+ = 5 V
8 V
10 V
12 V
15 V
20 V
V- = 0 V
4
8
12
16
R
DS(on)
-
Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
VD - Drain Voltage (V)
(-
dB)
0
20
40
80
100
60
120
140
1K
10K
100K
1M
10M
100
V+ = 15 V
V- = - 15 V
Ref. 10 dBm
Off Isolation
Crosstalk
f - Frequency (Hz)
RDS(on) vs. VD and Temperature
(Single 12-V Supply)
Charge Injection vs. Source Voltage
15
0
- 15
0
20
50
30
70
80
40
60
10
125 °C
25 °C
85
°C
- 40 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
- 10
- 5
5
10
VD - Drain Voltage (V)
R
DS(on)
-
Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
- 55 °C
0 °C
12
6
0
20
40
80
100
60
120
140
V+ = 12 V
V- = 0 V
125 °C
25 °C
- 55 °C
85 °C
24
8
10
VD - Drain Voltage (V)
R
DS(on)
-
Dr
ain-Source
On-Resistance
(
)
- 40 °C
0 °C
Q
-
(pC)
10
0
-10
-30
-10
20
0
40
50
10
30
-20
- 5
5
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V+ = 12 V
V- = 0 V
CL = 1 nF
VS - Source Voltage (V)
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参数描述 |
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