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参数资料
| 型号： | DG529AK883B |
| 厂商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | Analog CMOS Latchable Multiplexers |
| 中文描述： | 模拟CMOS锁存多路复用器 |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | DG529AK883B |
12-11
FIGURE 8A. CHARGE INJECTION WAVEFORMS
FIGURE 8B. CHARGE INJECTION TEST CIRCUIT
Similar connections for DG526, DG527
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
3V
EN
0
V
O
V
O
V
O
is the measured voltage error due to charge injection.
The error voltage in Coulombs is Q = C
L
x
V
O
.
EN
A
0
, A
1
, (A
2)
C
L
= 1000pF
+15V
-15V
GND
WR
V-
DG528
DG529
D
V+
RS
V
O
+2.4V
Sx
Typical Performance Curves
FIGURE 9. r
DS(ON)
vs ANALOG SIGNAL VOLTAGE vs SUPPLY
VOLTAGE
FIGURE 10. TYPICAL r
DS(ON)
VARIATION WITH TEMPERATURE
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
-15
r
D
)
ANALOG SIGNAL VOLTAGE (V)
-13 -11 -9
-7
-5
-3
-1 0 +1 +3 +5 +7 +9 +11+13 +15
I
O
= -200
μ
A
V
EN
= +5V
(A) V+ = +15V, V- = -15V
(B) V+ = +12V, V- = -12V
(C) V+ = +10V, V- = -10V
(D) V+ = +7.5V, V- = -7.5V
(A)
(B)
(C)
(D)
-55
TEMPERATURE (
o
C)
-25
25
45
70
100
125
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
r
D
(
)
0
V+ = +15V V- = -15V
V
EN
= 2.4V
I
O
= -200
μ
A
+10V SIGNALS
+10V SIGNALS
DG526, DG527, DG528, DG529
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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