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参数资料
| 型号： | DG9431DV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ANALOG SWITCH SPDT LV 6TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 单刀双掷 |
| 导通状态电阻： | 30 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 5 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG9431DV-T1-E3DKR |
www.vishay.com
2
Document Number: 70831
S-71009–Rev. D, 14-May-07
Vishay Siliconix
DG9431
Notes:
a. Signals on SX, DX, or INX exceeding V+ or V- will be clamped by internal diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.
b. All leads welded or soldered to PC Board.
c. Derate 6.5 mW/°C above 75 °C.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Limit
Unit
Reference V+ to GND
- 0.3 to + 13
V
IN, COM, NC, NOa
- 0.3 to (V+ + 0.3)
Continuous Current (Any Terminal)
± 20
mA
Peak Current (Pulsed at 1 ms, 10 % duty cycle)
± 40
ESD (Method 3015.7)
> 2000
V
Storage Temperature (D Suffix)
- 65 to 125
°C
Power Dissipation (Packages)b
8-Pin Narrow Body SOICc
400
mW
SPECIFICATIONS (V+ = 3 V)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 3 V, ± 10 %, VIN = 0.8 or 2.4 V
e
Tempa
D Suffix
- 40 to 85 °C
Unit
Minc
Typb
Maxc
Analog Switch
Analog Signal Ranged
VANALOG
Full
0
3
V
Drain-Source On–Resistance
rDS(on)
VNO or VNC = 1.5 V, V+ = 2.7 V
ICOM = 5 mA
Room
Full
30
50
80
Ω
rDS(on)Match
d
Δr
DS(on)
VNO or VNC = 1.5 V
Room
0.4
2
rDS(on) Flatness
f
rDS(on)
Flatness
VNO or VNC = 1 and 2 V
Room
4
8
NO or NC Off Leakage
Currentg
INO/NC(off)
VNO or VNC = 1 V/2 V, VCOM = 2 V/1 V
Room
Full
- 100
- 5000
5100
5000
pA
COM Off Leakage Currentg
ICOM(off)
VCOM = 1 V/2 V, VNO or VNC = 2 V/1 V
Room
Full
- 100
- 5000
5100
5000
Channel-On Leakage Currentg
ICOM(on)
VCOM = VNO or VNC = 1 V/2 V
Room
Full
- 200
- 10000
10
200
10000
Digital Control
Input Current
IINL or IINH
Full
1
A
Dynamic Characteristics
Turn-On Time
tON
VNO or VNC = 1.5 V
Room
Full
50
120
200
ns
Turn-Off Time
tOFF
Room
Full
20
50
120
Break-Before-Make Time
td
Room
3
20
Charge Injection
QINJ
CL = 1 nF, Vgen = 0 V, Rgen = 0 Ω
Room
1
5
pC
Off-Isolation
OIRR
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz
Room
- 74
dB
Source Off Capacitance
CS(off)
f = 1 MHz
Room
7
pF
Channel-On Capacitance
CD(on)
Room
32
Power Supply
Power Supply Range
V+
2.7
12
V
Power Supply Current
I+
V+ = 3.3 V, VIN = 0 or 3.3 V
1A
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