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参数资料
| 型号： | DHG100X1200NA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ARRAY 1200V 50A SOT227B |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.16V @ 50A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 50A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 75ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
DHG 100 X 1200 NA
preliminary
120
14
100
80
12
10
T VJ = 125°C
V R = 600 V
120 A
I F
60
Q rr
8
60 A
[A]
[μC] 6
40
20
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
4
30 A
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
90
V F [V]
Fig. 1 Typ. Forward current versus V F
700
di F /dt [A/μs]
Fig. 2 Typ. reverse recov.charge Q rr vs. di/dt
80
70
60
T VJ = 125°C
V R = 600 V
120 A
60 A
600
500
T VJ = 125°C
V R = 600 V
I RR
50
30 A
t rr
400
120 A
60 A
[A]
40
[ns] 300
30 A
30
200
20
10
0
100
0
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
4.0
di F /dt [A/μs]
Fig. 3 Typ. peak reverse current I RM vs. di/dt
T VJ = 125°C
1
di F /dt [A/μs]
Fig. 4 Typ. recovery time t rr versus di/dt
3.2
V R = 600 V
120 A
E rec 2.4
60 A
Z thJC 0.1
[mJ]
1.6
30 A
[K/W]
i
R i
i
0.8
1
2
3
0.137
0.1
0.233
0.0025
0.03
0.03
0.0
0.01
4
0.130
0.08
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
0.001
0.01
0.1
1
10
di F /dt [A/μs]
Fig. 5 Typ. recovery energy E rec versus di/dt
t p [s]
Fig. 6 Typ. transient thermal impedance
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110526b
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG100X600NA | 功能描述:整流器 100 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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