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参数资料
| 型号： | DHG10I1200PA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 105K |
| 描述： | DIODE FAST REC 1200V 10A TO220AC |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.22V @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 200ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 15µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
   DHG 10 I 1200 PA preliminary 200 250 300 350 400 450 500 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 5 10 15 20 Qrr [μC] IF [A] VF [V] diF/dt [A/μs] TVJ =125°C TVJ = 25°C TVJ= 125°C VR = 600 V 5A 10 A 20 A Fig. 2 Typical reverse recovery charge Fig. 1 Typ. forward characteristics Qrr versus. diF/dt (125°C) 200 250 300 350 400 450 500 0 4 8 12 16 20 24 IRM [A] diF/dt [A/μs] TVJ= 125°C VR =600 V 5A 10 A 20 A Fig. 3 Typical peak reverse current IRR versus diF/dt (125°C) 200 250 300 350 400 450 500 0 100 [ns] 200 300 400 500 trr diF/dt [A/μs] 5A 10 A 20 A TVJ= 125°C VR =600V Fig. 4 Typ. recovery time trr vs. di/dt (125°C) Fig. 5 Typ. recovery energy Erec vs. diF/dt (125°C) 200 250 300 350 400 450 500 0.1 0.2 [mJ]0.3 0.4 0.5 0.6 Erec diF/dt [A/μs] TVJ=125°C VR = 600 V 5A 10 A 20 A 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 10 Ri i 0.385 0.0005 0.355 0.004 0.315 0.02 0.445 0.15 Fig. 6 Typ. transient thermal impedance ZthJC [K/W] tP [s] IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. ? 2011 IXYS all rights reserved 20110622a Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DHG10I1200PM | DIODE FST REC 1200V10A TO220FPAC |
| DHG10I600PA | DIODE FAST REC 600V 10A TO220AC |
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| DHG20I1200HA | DIODE FRD SGL 1200V 20A TO-247AD |
| DHG20I1200PA | DIODE FRD SGL 1200V 20A TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG10I1200PM | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 10 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG10I1800PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Sonic Fast Recovery Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG10I600PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG10I600PM | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG-110EA3F | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
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