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参数资料
| 型号： | DHG10I1200PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 107K |
| 描述： | DIODE FST REC 1200V10A TO220FPAC |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.69V @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 75ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 15µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220AC 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
    DHG 10 I 1200PM advanced IRMS A per pin* 35 RthCH K/W 0.50 MD Nm 0.6 mounting torque 0.4 Tstg °C 150 storage temperature -55 Weight g 2 Symbol Definition Ratings typ. max. min. Conditions RMS current thermal resistance case to heatsink Unit * Irms is typically limited by: 1. pin-to-chip resistance; or by 2. current capability of the chip. In case of 1, a common cathode/anode configuration and a no n-isolated backside, the whole current capability can be used by connecting the backside. Outlines TO-220FPAC F C N 60 mounting force with clip 20 IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. ? 2006 IXYS all rights reserved 0629 * Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DHG10I600PA | DIODE FAST REC 600V 10A TO220AC |
| DHG10I600PM | DIODE FST REC 600V 10A TO220FPAB |
| DHG20I1200HA | DIODE FRD SGL 1200V 20A TO-247AD |
| DHG20I1200PA | DIODE FRD SGL 1200V 20A TO-220AC |
| DHG20I600HA | DIODE FRD SGL 600V 20A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG10I1800PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Sonic Fast Recovery Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG10I600PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG10I600PM | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG-110EA3F | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DHG-110EAF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
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