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参数资料
型号： DHG20C600PB
厂商： IXYS
文件页数： 1/2页
文件大小： 80K
描述： DIODE FRD CC 600V 10A TO-220AB
标准包装： 50
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 2.37V @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 15µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： 10A
电压 - (Vr)（最大）： 600V
反向恢复时间(trr)： 35ns
二极管类型： 标准
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
二极管配置： 1 对共阴极
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220AB
包装： 管件
DHG 20 C 600PB
advanced
Sonic-FRD
Symbol Definition
R a t i n g s
Features / Advantages:
●
Planar passivated chips
●
Very low leakage current
●
Very short recovery time
●
Improved thermal behaviour
●
Very low Irm-values
●
Very soft recovery behaviour
●
Avalanche voltage rated for reliable
operation
●
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
●
Low Irm reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Conditions Unittyp. max.
IFSM
IR
A
μA
V
80
IFAV
A
VF
2.37
RthJC
1.80 K/W
VR
=
600
123
min.
10
=10ms (50 Hz), sine
Applications:
●
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
●
Antisaturation diode
●
Snubber diode
●
Free wheeling diode
●
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
●
Uninterruptible power supplies (UPS)
VRRM
V
600
15
TVJ
=
V
25
°C
TVJ
=
125
°C
mA
1.5
Package:
Part number
VR
=
600
TVJ
=
25
°C
IF
=A10
V
TC
=85°C
Ptot
70 W
TC
25
°C
=
A
IRM
4
-diF/dt
=
200 A/μs
IF
=A;10
VR
=V400
A
t
rr
EAS
tbd mJ
=A;L = μHtbd 100
TVJ
=
25
°C
IAS
IAR
A
VA
=
1.5·VR
typ.;
tbd
f = 10 kHz
TVJ
150
°C
-55
High Performance Fast Recovery Diode
Low Loss and Soft Recovery
Common Cathode
VRRM
=
IFAV
trr
=
=
600
V
10
A
35
ns
TVJ
=45°C
DHG 20 C 600PB
V
tp
max. repetitive reverse voltage
reverse current
forward voltage
average forward current
thermal resistance junction to case
virtual junction temperature
total power dissipation
max. forward surge current
max. reverse recovery current
non-repetitive avalanche energy
repetitive avalanche current
reverse recovery time
3.18
TVJ
=
25
°C
CJ
tbd pF
junction capacitance
VR
=V;300
f = 1 MHz
TVJ
=°C25
VF0
V
1.31
TVJ
= 150 °C
rF
81.4
mΩ
TO-220AB
V
2.22
10 125TVJ
=°C
IF
=A
V
3.11
IF
=A20
IF
=A20
ns
35
ns
●
Industry standard outline
●
Epoxy meets UL 94V-0
●
RoHS compliant
TVJ
=25
°C
TVJ
= 125
°C
TVJ
=25
°C
TVJ
= 125
°C
rectangular, d = 0.5
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
Backside: cathode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2006 IXYS all rights reserved
0629
* Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
相关PDF资料
PDF描述
DHG20C600QB DIODE FRD CC 600V 2X10A TO-3P
DHG40C1200HB DIODE FRD CC 1200V 2X20A TO247AD
DHG40C600HB DIODE FRD CC 600V 2X20A TO-247AD
DHG40C600PB DIODE FRD CC 600V 20A TO-220AB
DHG60C600HB DIODE FRD CC 600V 2X30A TO247AD
相关代理商/技术参数
参数描述
DHG20C600QB 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DHG20I1200HA 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DHG20I1200PA 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DHG20I600HA 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DHG20I600PA 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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