参数资料
型号: DHG50X1200NA
厂商: IXYS
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: DIODE ARRAY 1200V 25A SOT227B
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.12V @ 25A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 1200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 25A
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
反向恢复时间(trr): 75ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
DHG 50 X 1200 NA
preliminary
60
7
T VJ = 125°C
I F
[A]
50
40
30
Q rr
[μC]
6
5
4
V R = 600 V
60 A
30 A
20
10
0
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
3
2
1
15 A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100
70
V F [V]
Fig. 1 Typ. Forward current versus V F
700
di F /dt [A/μs]
Fig. 2 Typ. reverse recov.charge Q rr vs. di/dt
I RR
60
50
40
T VJ = 125°C
V R = 600 V
60 A
30 A
t rr
600
500
400
T VJ = 125°C
V R = 600 V
15 A
[A]
30
20
10
0
[ns] 300
200
100
0
60 A
30 A
15 A
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100
2.0
di F /dt [A/μs]
Fig. 3 Typ. peak reverse current I RM vs. di/dt
T VJ = 125°C
V R = 600 V
2
di F /dt [A/μs]
Fig.4 Typ. recovery time t rr versus di/dt
1.6
E rec 1.2
60 A
30 A
Z thJC
1
[mJ]
0.8
15 A
[K/W]
i
R i
i
0.4
1
2
3
0.3413
0.2171
0.3475
0.0025
0.03
0.03
0.0
0.1
4
0.2941
0.08
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100
0.001
0.01
0.1
1
10
di F /dt [A/μs]
Fig. 5 Typ. recovery energy E rec versus di/dt
t p [s]
Fig. 6 Typ. transient thermal impedance
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110526b
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DHG50X600NA 功能描述:整流器 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
DHG5I600PA 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 5 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DHG5I600PM 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 5 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DHG60C600HB 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DHG60I1200HA 功能描述:整流器 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel