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参数资料
| 型号： | DMB536F |
| 元件分类： | 圆形连接器 |
| 英文描述： | CIRCULAR ADAPTER |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 332K |
| 代理商： | DMB536F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMB538F | CIRCULAR ADAPTER |
| DMM-100G-432FNK31 | SINGLE PART CARD EDGE CONN |
| DMM3-RS144A2B-13 | SINGLE PART CARD EDGE CONN |
| DMS(D190) | CIRCULAR CONNECTOR |
| DPA15F0/15F | 30 CONTACT(S), FEMALE-FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMB538F | 制造商:L-com Inc 功能描述:ADPT, GNDR CHGR MINI-DIN 8 F/F |
| DMB53D0UDW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR |
| DMB53D0UDW-7 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMB53D0UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR |
| DMB53D0UV-7 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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