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参数资料
| 型号： | DMC2004VK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL PAIR SOT-563 |
| 其它图纸： | SOT-563 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 670mA，530mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMC2004VKDIDKR |
DMC2004VK
10
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
Q 1 , N-CHANNEL (cont.)
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Ambient Temperature
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 9 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance vs.
Drain-Source Current vs. Gate Source Voltage
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Capacitance
DMC2004VK
Document number: DS30925 Rev. 6 - 2
4 of 8
www.diodes.com
January 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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