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参数资料
| 型号： | DMC2700UDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.34A，1.14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2700UDM-7DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC2700UDM
P-CHANNEL – Q 2 (continued)
1.6
1.0
0.8
1.2
T A = 25°C
0.6
0.8
I D = -1m A
0.4
I D = -250μA
0.4
0.2
0
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 17 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
1,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 18 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
C iss
100
T A = 125°C
10
C oss
C rss
10
T A = 85°C
T A = 25°C
1
0
5 10 15
20
1
0
4 8 12 16
20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 19 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 20 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
DMC2700UDM
Datasheet Number: DS35360 Rev. 1 - 2
7 of 9
www.diodes.com
June 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMC2990UDJ-7 | MOSFET N/P-CH 20V 450/310 SOT963 |
| DMC3018LSD-13 | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC |
| DMC3021LK4-13 | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L |
| DMC3021LSD-13 | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8 |
| DMC3028LSD-13 | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMC274 | 制造商:Glenair Inc 功能描述:CONNECTOR |
| DMC292M | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述: |
| DMC2990UDJ-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3018LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3018LSD-13 | 功能描述:MOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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