| 型号: | DME2050-504-012 |
| 厂商: | SKYWORKS SOLUTIONS INC |
| 元件分类: | 射频混频器 |
| 英文描述: | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE |
| 封装: | BEAM LEAD PACKAGE-3 |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 258K |
| 代理商: | DME2050-504-012 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DME2178-520-034 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
| DME2205-504-013 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE |
| DME2207-504-013 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
| DME2333-491-011 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
| DME2459-488-002 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, K BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DME20B010R | 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME20C010R | 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME2127-000 | 制造商:Skyworks 功能描述:Bands S and C Single 制造商:Skyworks Solutions Inc 功能描述:RF SCHOTTKY DIODE |
| DME2127-220 | 制造商:Skyworks Solutions Inc 功能描述:RF SCHOTTKY DIODE |
| DME2127-250 | 制造商:Skyworks Solutions Inc 功能描述:RF SCHOTTKY DIODE |