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参数资料
型号： DME4W2P2K
厂商： Cornell Dubilier Electronics (CDE)
文件页数： 1/4页
文件大小： 0K
描述： CAP FILM 2.2UF 400VDC RADIAL
标准包装： 100
系列： DME
电容： 2.2µF
额定电压 - AC： 200V
额定电压 - DC： 400V
电介质材料： 聚酯，金属化
容差： ±10%
工作温度： -55°C ~ 125°C
安装类型： 通孔
封装/外壳： 径向
尺寸/尺寸： 1.220" L x 0.453" W（31.00mm x 11.50mm）
高度 - 座高（最大）： 0.866"（22.00mm）
端子： PC 引脚
引线间隔： 1.083"（27.50mm）
特点： 通用
包装： 散装
Type DME Polyester Film Capacitors
Metallized Radial Leads
DC Applications
Miniature Size
Type DME radial-leaded, mini-dipped capacitors deliver
virtually the same performance of other capacitors physically
twice as big. Improvements in film technology permit the
use of thinner dielectric and make Type DME the choice for
all but higher current AC applications where the larger size
may be an advantage. Type DME self heals shorts caused
by overvoltage transients. For small size and low cost, Type
DME is tops.
Specifications
Voltage Range: 100-1000 Vdc
Capacitance Range: .01-10 μF
Capacitance Tolerance: ±10% (K) standard
±5% (J) optional
Operating Temperature Range: -55 °C to 125 °C*
*Full-rated voltage at 85 °C–Derate linearly to 50%-rated voltage at 125 °C
Dielectric Strength: 150% (1 minute)
Dissipation Factor: 1% Max. (25 °C, 1kHz)
Insulation Resistance: 3,000 M ? x μF
9,000 M ? Min.
Life Test: 1000 Hours at 85°C at 125% Rated Voltage
Ratings
NOTE: Refer to Application Guide for test conditions.
Contact us for other capacitance values, sizes and performance specifications.
RoHS Compliant
Cap.
Catalog
T Max.
H Max.
L Max.
S ±.04 (±1.0)
d
dV/dt
(μF)
Part Number
Inches (mm) Inches (mm) Inches (mm) Inches (mm) Inches (mm) V/μs
100 Vdc
0.56 DME1P56K-F
0.68 DME1P68K-F
0.82 DME1P82K-F
1.00 DME1W1K-F
1.20 DME1W1P2K-F
1.50 DME1W1P5K-F
1.80 DME1W1P8K-F
2.20 DME1W2P2K-F
2.70 DME1W2P7K-F
3.30 DME1W3P3K-F
3.90 DME1W3P9K-F
4.70 DME1W4P7K-F
5.60 DME1W5P6K-F
6.80 DME1W6P8K-F
8.20 DME1W8P2K-F
10.00 DME1W10K-F
0.217
0.236
0.256
0.276
0.217
0.256
0.256
0.295
0.315
0.354
0.276
0.315
0.354
0.374
0.394
0.453
(5.5)
(6.0)
(6.5)
(7.0)
(5.5)
(6.5)
(6.5)
(7.5)
(8.0)
(9.0)
(7.0)
(8.0)
(9.0)
(9.5)
(10.0)
(11.5)
0.429 (10.9) 0.492 (12.5) 0.394 (10.0) 0.024
0.469 (11.9) 0.492 (12.5) 0.394 (10.0) 0.024
0.531 (13.5) 0.492 (12.5) 0.394 (10.0) 0.024
0.551 (14.0) 0.492 (12.5) 0.394 (10.0) 0.024
0.504 (12.8) 0.728 (18.5) 0.591 (15.0) 0.024
0.528 (13.4) 0.728 (18.5) 0.591 (15.0) 0.032
0.571 (14.5) 0.728 (18.5) 0.591 (15.0) 0.032
0.610 (15.5) 0.728 (18.5) 0.591 (15.0) 0.032
0.630 (16.0) 0.728 (18.5) 0.591 (15.0) 0.032
0.650 (16.5) 0.728 (18.5) 0.591 (15.0) 0.032
0.646 (16.4) 1.024 (26.0) 0.886 (22.5) 0.032
0.669 (17.0) 1.024 (26.0) 0.886 (22.5) 0.032
0.689 (17.5) 1.024 (26.0) 0.886 (22.5) 0.032
0.728 (18.5) 1.024 (26.0) 0.886 (22.5) 0.032
0.787 (20.0) 1.024 (26.0) 0.886 (22.5) 0.032
0.827 (21.0) 1.024 (26.0) 0.886 (22.5) 0.032
(0.6)
(0.6)
(0.6)
(0.6)
(0.6)
(0.8)
(0.8)
(0.8)
(0.8)
(0.8)
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(0.8)
(0.8)
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(0.8)
(0.8)
16
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10
10
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10
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6
6
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CDE Cornell Dubilier ? 1605 E. Rodney French Blvd. ? New Bedford, MA 02740 ? Phone: (508)996-8561 ? Fax: (508)996-3830 www.cde.com
相关PDF资料
PDF描述
3362S-1-205LF TRIMMER 2M OHM 0.5W TH
ASSFLP-D07 OSC PROG 3.3V 50PPM DWN SPRD SMD
TZB4P300AA10R01 CAP TRIMMER 6.5-30PF 100V SMD
TZY2Z2R5A001B00 CAP TRIMMER 0.65-2.5PF 25V SMD
ASSFLP-D06 OSC PROG 3.3V 50PPM DWN SPRD SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
DME4W2P2K-F 功能描述:薄膜电容器 DME 400V2.2 RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm
DME500 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DME500 - Bulk
DME501010R 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DME505010R 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DME50B010R 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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