| 型号: | DME50501 |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 4/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | DME50501 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTC115E-AL3-R | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| DTC114E-AN3-R | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| DTC114E-T92-K | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| DTC114EL-AE3-R | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| DTC143ZG-AE3-R | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DME505010R | 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME50B010R | 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME50C010R | 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME6P1-1K | 功能描述:薄膜电容器 .1UF 630V 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| DME6P1-1K-F | 功能描述:薄膜电容器 .1UF 630V 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |