型号: | DMG-2B-350 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 5/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | DMG-2B-350 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DMG3401LSN | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input Capacitance |
DMG3401LSN-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 31V-40V SC59 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH 30V 3A SC59 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V P-CH MOSFET 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R |
DMG3407SSN | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
DMG3407SSN-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
DMG3413L-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |