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参数资料
| 型号： | DMN2004DMK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2004DMKDIDKR |
DMN2004DMK
Package Outline Dimensions
A
SOT26
Dim Min Max Typ
B C
A
B
C
0.35 0.50 0.38
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
D
? ?
0.95
H
H
J
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
K
M
K
L
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
J
D
L
M
α
0.10 0.20 0.15
0° 8° ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
3.20
1.60
Z
G
C1
X
Y
0.55
0.80
C1
2.40
Y
DMN2004DMK
Document number: DS30937 Rev. 4 - 2
X
5 of 6
www.diodes.com
C2
0.95
November 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2004DWK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 |
| DMN2004K-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 |
| DMN2004VK-7 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563 |
| DMN2004WK-7 | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 |
| DMN2005DLP4K-7 | MOSFET DUAL N-CH 6-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2004DWK | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2004DWK_0711 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2004DWK-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2004K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2004K_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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