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参数资料
| 型号： | DMN2112SN |
| 厂商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | DMN2112SN |
N
DS30830 Rev. 3 - 2
2 of 3
www.diodes.com
DMN2112SN
Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2112SN-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2114SN | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2114SN-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DMK | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DMK-7 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2112SN_0711 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2112SN-7 | 功能描述:MOSFET 20V 1.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2114SN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2114SN_0709 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2114SN-7 | 功能描述:MOSFET 20V 1.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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