参数资料
型号: DMP2004DWK-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-363
产品变化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 430mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 900 毫欧 @ 430mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 16V
功率 - 最大: 250mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 带卷 (TR)
DMP2004DWK
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 9 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Capacitance
Package Outline Dimensions
A
SOT363
Dim Min
Max
Typ
B C
A
B
C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.35
2.20
0.25
1.30
2.10
D
0.65 Typ
H
F
H
0.40
1.80
0.45
2.20
0.425
2.15
K
M
J
K
0
0.90
0.10
1.00
0.05
1.00
J
D
F
L
L
M
??
0.25 0.40 0.30
0.10 0.22 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
0.42
0.6
C1
1.9
Y
DMP2004DWK
Document number: DS30940 Rev. 6 - 2
X
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www.diodes.com
C2
0.65
January 2014
? Diodes Incorporated
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