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参数资料
| 型号： | DMP2225L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.08W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2225LDIDKR |
DMP2225L
10
6
8
V GS = -10V
V GS = -5.0V
V GS = -4.0V
5
V DS = -5V
Pulsed
4
6
V GS = -2.5V
3
4
2
2
V GS = -2.0V
V GS = -1.5V
1
T A = 150°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0
T A = -55°C
0.5 1 1.5 2 2.5 3
1
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1 Typical Output Characteristics
V GS = -2.5V
1,000
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2 Typical Transfer Characteristics
f = 1 MHz
V GS = 0V
C iss
0.1
V GS = -4.5V
V GS = -10V
100
C oss
C rss
0.01
0.01
0.1 1 10
10
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
20
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3 O n-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
1.2
1.5
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4 Typical Total Capacitance
1.1
1.4
V GS = -4.5V
I D = -3.0A
1
0.9
0.8
-I D = 250 μ A
1.3
1.2
1.1
1
V GS = -10V
I D = -5.0A
V GS = -2.5V
I D = -1.0A
0.9
0.7
0.8
0.6
0.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 5 Gate Threshold Voltage vs. Ambient Temperature
0.7
0.6
-55 25 85 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Figure 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
DMP2225L
Document number: DS31461 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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