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参数资料
| 型号： | DMP22D4UFA-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 330MA |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 330mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28.7pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN0806H4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP22D4UFA-7BDIDKR |
DMP22D4UFA
Package Outline Dimensions
A3
A
A1
Seating Plane
X2-DFN0806-3
Dim
Min
Max Typ
D
e
A
A1
A3
b
D
D1
0.375 0.40 0.39
0 0.05 0.02
- - 0.10
0.10 0.20 0.15
0.55 0.65 0.60
0.35 0.45 0.40
L (2x)
E
E1
e
0.75
0.20
-
0.85 0.80
0.30 0.25
- 0.35
E
K
b (2x)
K
L
-
0.20
- 0.20
0.30 0.25
All Dimensions in mm
E1
Pin#1
R0.075
D1
Suggested Pad Layout
X1
Y1
Dimensions
C
Value
(in mm)
0.350
Y (2x)
X (2x)
Y2
X
X1
X2
Y
Y1
Y2
0.200
0.450
0.550
0.375
0.475
1.000
C
X2
DMP22D4UFA
Document number: DS35766 Rev. 2 - 2
5 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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| DMP2305U-7 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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