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参数资料
| 型号： | DMP3030SN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 400mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP3030SNDIDKR |
DMP3030SN
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
Mechanical Data
?
?
?
?
?
?
?
?
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)
ESD Protected Gate
"Green" Device (Note 4)
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability
SC59
?
?
?
?
?
?
?
?
Case: SC59
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish ? Matte Tin annealed over Copper
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking Information: See Page 3
Ordering & Date Code Information: See Page 3
Weight: 0.014 grams (approximate)
Drain
D
Gate
ESD protected
TOP VIEW
Gate
G
S
Protection
Diode
Source
Internal Schematic
EQUIVALENT CIRCUIT
Maximum Ratings
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 1) Steady State
Pulsed Drain Current (Note 3)
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I DM
Value
-30
± 20
-0.7
-2.8
Unit
V
V
A
A
Thermal Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P d
R θ JA
T j , T STG
Value
500
250
-65 to +150
Unit
mW
° C/W
° C
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-30
?
?
?
?
?
?
-10
± 10
V
μ A
μ A
V GS = 0V, I D = -250μA
V DS = -30V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 5)
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
-1.0
?
?
?
?
0.20
0.35
1
-0.8
-3.0
0.25
0.45
?
-1.1
V
Ω
S
V
V DS = -10V, I D = -1.0mA
V GS = -10V, I D = -0.4A
V GS = -4.5V, I D = -0.4A
V DS = -10V, I D = -0.4A
V GS = 0V, I S = -0.7A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C iss
C oss
C rss
?
?
?
160
120
50
?
?
?
pF
pF
pF
V DS = -10V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
t D(ON)
?
10
?
ns
Turn-Off Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Fall Time
t D(OFF)
t r
t f
?
?
?
25
25
40
?
?
?
ns
ns
ns
V DD = -10V, I D = -0.4A,
V GS = -5.0V, R GEN = 50 Ω
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
Device mounted on FR-4 PCB.
No purposefully added lead.
Pulse width ≤ 10 μ S, Duty Cycle ≤ 1%.
Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.
Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMP3030SN
Document number: DS30787 Rev. 5 - 2
1 of 4
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
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