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参数资料
| 型号： | DMS3016SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.8A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1849pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.54W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3016SSS-13DIDKR |
DMS3016SSS
Ordering Information (Note 8)
Part Number
DMS3016SSS-13
Case
SO-8
Packaging
2500 / Tape & Reel
Notes:
8. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
8
5
Logo
S3016SS
Part no.
YY WW
Xth week: 01 ~ 53
Year: “09” = 2009
1
4
Year: “10” = 2010
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
0.10
1.30
0.15
0.20
1.50
0.25
Detail ‘A’
b
D
E
0.3
4.85
5.90
0.5
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
b
θ
0 °
8 °
D
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
All Dimensions in mm
Value (in mm)
0.60
Y
DMS3016SSS
Document number: DS32266 Rev. 3 - 2
C2
C1
Y
C1
C2
5 of 6
www.diodes.com
1.55
5.4
1.27
September 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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