参数资料
型号: DMS3017SSD-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 9/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A SO8
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A,6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 9.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1276pF @ 15V
功率 - 最大: 1.19W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 标准包装
其它名称: DMS3017SSD-13DIDKR
DMS3017SSD
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
0.10
1.30
0.15
0.20
1.50
0.25
b
0.3
0.5
Detail   ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
e
D
b
L 0.62 0.82
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Y
Value (in mm)
0.60
1.55
Y
DMS3017SSD
Document number: DS35052 Rev. 2 - 2
C2
C1
C1
C2
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www.diodes.com
5.4
1.27
October 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述
DMS3019SSD-13 MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A SO8
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