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参数资料
| 型号： | DPF60IM400HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 134K |
| 描述： | DIODE HFRED CC 400V 60A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 60A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.27V @ 60A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 60ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 400V |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
   DPF60IM400HB ns 6 A TVJ =°C25 reverse recovery time A 12 60 105 ns IRM max. reverse recovery current IF =A;60 VR =V270 T=125°CVJ -diF/dt =A/μs200 trr TVJ =°C25 T=125°CVJ V = VR 400 Symbol Definition Ratings typ. max. IR V IFAV A VF 1.27 RthJC 0.55 K/W min. 60 VRSM V 10 T = 25°CVJ T = °CVJ 150 mA 0.5 V = VR 400 T = 25°CVJ I = AF 60 V T = °CC 130 Ptot 275 W T = 25°CC RthCH K/W max. non-repetitive reverse blocking voltage reverse current, drain current forward voltage drop total power dissipation Conditions Unit 1.53 T = 25°CVJ VF0 V 0.76 T = °CVJ 175 rF 4.9 m? V 1.09 T = °CVJ 150 I = AF 60 V 1.39 I = AF 120 I = AF 120 threshold voltage slope resistance for power loss calculation only μA VRRM V 400 max. repetitive reverse blocking voltage T = 25°CVJ CJ 61 junction capacitance V = VR 200 T = 25°Cf = 1 MHz VJ pF IFSM t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR VJ max. forward surge current T = °CVJ 175 600 A rectangular 0.5d = average forward current thermal resistance junction to case thermal resistance case to heatsink Fast Diode 400 0.25 IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. 20131101a Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified ? 2013 IXYS all rights reserved |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DPF60XA400NA | 功能描述:MOSFET HiPerFRED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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