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参数资料
| 型号： | DPG120C300QB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE HFRED CC 300V 2X60A TO3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.4V @ 60A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 60A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
DPG120C300QB
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
20
40
60
80
100
120
0 200 400 600
40
50
60
70
80
100
101
102
103
104
0.1
1.0
0 40 80 120 160
0.2
0.4
0.6
Kf
0.8
1.0
1.2
1.4
TVJ
[°C]
-diF/dt [A/μs]
t[ms]
0200400600
200
300
400
[ns]
500
600
700
800
900
1000
2
3
4
5
6VFR
[V]
7
8
9
10
0200400600
4
6
8
[A]
10
12
14
16
18
20
100 200 300 400 500
0.2
0.3
C]
0.4
rr
0.5
0.6
0.7
Q
[μ
VF
[
-diF
/dt [A/μs]
V]
ZthJC
[K/W]
IRM
Qrr
VFR
tfr
TVJ
= 150°C
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recov. current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov. time
trrversus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recov. voltage
VFR
&timetfr
versus diF/dt
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case
25°C
IF
[A]
-diF/dt [A/μs]
IRM
trr
[ns]
-diF/dt [A/μs]
tfr
100 200 300 400 500
4
8
12
16
Erec
[μJ]
-diF/dt [A/μs]
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
IF
=120 A
60 A
30 A
IF
= 120 A
60 A
30 A
IF
= 120 A
60 A
30 A
IF
=120A
60 A
30 A
TVJ
=125°C
VR
= 200 V
TVJ
=125°C
VR
= 200 V
TVJ
= 125°C
VR
= 200 V
TVJ
=125°C
VR
= 200 V
IF
=60A
TVJ
=125°C
VR
= 200 V
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131125a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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