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参数资料
| 型号： | DPG20C200PB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 134K |
| 描述： | DIODE HFRED 200V 2X10A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.27V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
DPG20C200PB
0 100 200 300 400 500
0
20
40
60
80
0 40 80 120 160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Kf
TVJ
[°C]
0 100 200 300 400 500
0
2
VFR
4
6
8
10
12
0
100
200
300
400
500
600
VFR
[V]
0 100 200 300 400 500
0
2
4
6
8
10
12
0 100 200 300 400 500
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0
5
10
15
20
25
30
IRR
[A]
Qr
[μC]
IF
[A]
VF
[V]
-diF/dt [A/μs]
trr
[ns]
tfr
IRR
Qrr
-diF/dt [A/μs]
-diF
/dt [A/μs]
5 A
10 A
-diF/dt [A/μs]
tfr
[ns]
0.001 0.01 0.1 1 10
0
1
2
3
t[s]
ZthJH
[K/W]
0 100 200 300 400 500
0
2
J]
4
rec
6
8
10
E
[μ
-diF/dt [A/μs]
TVJ
= 25°C
125°C
150°C
Fig. 1 Forward current
IFversus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recovery current
IRR
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRR
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov. time
trr
versus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recovery voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
Fig. 8 Transient thermal resistance junction to case
20 A
10 A
5 A
20 A
10 A
5A
TVJ=125°C
VR
=130V
TVJ=125°C
VR
=130 V
TVJ= 125°C
VR
= 130 V
TVJ= 125°C
VR
=130 V
TVJ= 125°C
I
F
= 10 A
VR
= 130 V
IF
=5 A
10 A
20 A
IF
= 20 A
Rthi
[K/W]
0.3866
0.7062
0.8127
0.3945
ti[s]
0.0004
0.0025
0.022
0.13
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DPG20C200PN | DIODE HFRED 200V 2X10A TO220FPAB |
| DPG20C300PB | DIODE HFRED 300V 2X10A TO220AB |
| DPG20C300PN | DIODE HFRED 300V 2X10A TO220ABFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DPG20C200PN | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG20C300PB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG20C300PN | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG20C400PB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG20C400PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HiPerFRED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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