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参数资料
| 型号： | DPG20C400PN |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 140K |
| 描述： | DIODE HFRED 400V 10A TO-220FPAS |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.32V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220AB 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
DPG20C400PN
0 100 200 300 400 500
20
40
60
80
100
04080120160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Kf
TVJ
[°C]
0 100 200 300 400 500
0
2
4
[V]
6
FR
8
10
12
14
0
50
100
150
200tfr
[ns]
250
300
350
V
0 100 200 300 400 500
2
4
[A]
6
8
10
12
0 100 200 300 400 500
0.1
0.2
0.3
0.4
TVJ= 125°C
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0
5
10
F
15
20
25
30
IRM
Qrr
[μC]
I
[A]
VF
[V]
-diF/dt [A/μs]
trr
[ns]
VFR
tfr
IRM
Qrr
-diF/dt [A/μs]
-diF/dt [A/μs]
5 A
10 A
-diF
/dt [A/μs]
1 10 100 1000 10000
0
1
[K/W]2
3thJC
4
5
t[ms]
Z
0 100 200 300 400 500
0
5
μJ]10
rec15
20
25
E
[
-diF/dt [A/μs]
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recov. current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov. time
trr
versus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recovery voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
Fig. 8 Transient thermal resistance junction to case
IF= 20 A
20 A
10 A
5 A
20 A
10 A
5A
IF=5 A
10 A
20 A
TVJ
=125°C
TVJ
= 25°C
VR
=270 V
TVJ=125°C
VR
=270 V
TVJ= 125°C
VR
= 270 V
TVJ=125°C
VR
=270 V
TVJ=125°C
IF
= 10 A
VR
= 270 V
Remark: Thermal impedance curve do not reach static value after 10 s.
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131101a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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