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参数资料
| 型号： | DPG30C200PB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 描述： | DIODE HFRED 200V 2X15A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.26V @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
DPG30C200PB
0 200 400 600100 300 500
20
30
[ns]
40
50
60
70
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Kf
1.0
1.2
1.4
TVJ
[°C]
0 100 200 300 400 500 600
0
2
4
[V]
6
8
10
12
14
16
0
100
t200fr
[ns]
300
400
VFR
0 100 200 300 400 500 600
0
2
4
6
8
10RM
12
14
16
0 100 200 300 400 500 600
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0
10
20
[A]
30
40
50
60
70
80
I
[A]
Qrr
[μC]
IF
VF
[V]
-diF/dt [A/μs]
trr
VFR
tfr
IRM
Qrr
7.5 A
-diF/dt [A/μs]
-diF/dt [A/μs]
7.5 A
15 A
IF
=30 A
-diF/dt [A/μs]
1 10 100 1000 10000
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
t[ms]
ZthJC
[K/W]
0 100 200 300 400 500 600
0
2
4
6
8
10rec
12
14
16
E
[μJ]
-diF/dt [A/μs]
30 A
15 A
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrrversus -diF/dt
Fig. 3 Typ. peak reverse current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. recovery time
trr
versus -diF/dt
Fig. 6 Typ. peak forward voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
Fig. 8 Transient thermal resistance junction to case
TVJ
= 25°C
150°C
IF
= 30 A
IF
= 15 A
IF
=7.5A
IF
=30A
IF
=15A
IF
=7.5 A
TVJ=125°C
VR
= 130 V
TVJ= 125°C
VR
= 130 V
TVJ= 125°C
VR
=130 V
TVJ= 125°C
VR
= 130 V
TVJ=125°C
I
F
= 15 A
VR
=130 V
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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参数描述 |
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| DPG30C300PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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