参数资料
型号: DPG60C200QB
厂商: IXYS
文件页数: 4/5页
文件大小: 142K
描述: DIODE HFRED 200V 2X30A TO-3P
标准包装: 30
系列: HiPerFRED™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.34V @ 30A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 30A
电压 - (Vr)(最大): 200V
反向恢复时间(trr): 35ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
DPG60C200QB
1
2
3
Outlines TO-3P
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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PDF描述
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参数描述
DPG60C300HB 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C300HJ 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C300PC 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C300QB 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DPG60C400HB 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube