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参数资料
| 型号： | DPG60C300HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 137K |
| 描述： | DIODE HFRED 300V 2X30A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.34V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DPG60C300HB
ZthJC
[K/W]
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
20
40
60
80
0 200 400 600
20
30
40
50
60
70
1 10 100 1000 10000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 40 80 120 160
Q
0.2
rr
0.4
0.6
Kf0.8
1.0
1.2
1.4
TVJ
[°C]
-diF
/dt [A/μs]
t[ms]
0 200 400 600
0
100
200
300
400
500
600
0
2
4
6
8
10
12
0 200 400 600
2
4
6
[A]
8
RM
10
12
14
16
0 200 400 600
0.1
0.2
0.3
0.4
Qrr
[μC]
VF
[
-diF/dt [A/μs]
V]
IF
=60 A
30 A
15 A
IRM
VFR
tfr
TVJ
= 150°C
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recov. current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Dynamic parameters
Qrr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recovery time
trrversus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recovery voltage
VFR
&timetfr
versus diF/dt
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case
25°C
IF
[A]
-diF/dt [A/μs]
I
trr
[ns]
-diF/dt [A/μs]
tfr
[ns]
VFR
[V]
0200400600
2
4
J]6
rec
8
10
12
14
16
E
[μ
-diF
/dt [A/μs]
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
IF
= 15 A
30 A
60 A
TVJ
= 125°C
VR
=200 V
TVJ
=125°C
VR
= 200 V
TVJ
= 125°C
VR
= 200 V
TVJ
= 125°C
VR
= 200 V
IF
=30A
TVJ= 125°C
VR
= 200 V
IF
=60 A
30 A
15 A
IF
=60A
30 A
15 A
Rthi
[K/W]
0.1311
0.1377
0.3468
0.2394
0.095
ti
[s]
0.0018
0.002
0.012
0.07
0.345
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131125b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| DPG60C300QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60C400HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60C400QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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