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参数资料
| 型号： | DPG60C400HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 138K |
| 描述： | DIODE HFRED 400V 2X30A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.41V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DPG60C400HB
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
10
20
[A]
30
F
40
50
60
70
80
0 200 400 600
40
60
[ns]
80
100
120
140
1 10 100 1000 10000
0.0
0.2
[K/W]
0.4
0.6thJC
0.8
1.0
0 40 80 120 160
0.0
0.2
0.4
0.6
Kf0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
TVJ
[°C]
-diF
/dt [A/μs]
t[ms]
0 200 400 600
0
100
200
[ns]
300
fr
400
500
600
700
2
4
6
8
10
12
14
16
0 200 400 600
4
8
12
16
20
0 200 400 600
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Qrr
[μC]
VF
[
-diF/dt [A/μs]
V]
Z
IRR
Qrr
VFR
tfr
TVJ
=150°C
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recovery current
IRR
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRR
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov. time
trrversus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recov. voltage
VFR
&timetfr
versus diF/dt
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case
25°C
I
-diF
/dt [A/μs]
IRR
[A]
trr
-diF/dt [A/μs]
t
VFR
[V]
0 200 400 600
0
10
20
30
40
50
Erec
[μJ]
-diF/dt [A/μs]
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
TVJ
= 125°C
VR
=270 V
TVJ
=125°C
VR
= 270 V
TVJ
=125°C
VR
= 270 V
TVJ
= 125°C
VR
=270 V
IF
= 30 A
TVJ
=125°C
VR
= 270 V
60 A
30 A
15 A
15 A
30 A
60 A
60 A
30 A
15 A
60 A
30 A
15 A
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131101a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DPG60C400QB | DIODE HFRED 400V 2X30A TO-3P |
| DPH30IS600HI | DIODE HFRED 600V 30A ISOPLUS247 |
| DSA120C150QB | DIODE SCHOTTKY 150V 2X60A TO-3P |
| DSA20C100PB | DIODE SCHOTTKY 100V 2X10A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DPG60C400QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60I300HA | 功能描述:整流器 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DPG60I400HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60IM300PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60IM400QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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