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参数资料
| 型号： | DPG60IM400QB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 140K |
| 描述： | DIODE HFRED 400V 60A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 60A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.47V @ 60A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 45ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 400V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
    DPG60IM400QB 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 20 40 60 80 100 120 0 200 400 600 60 70 [ns] 80 90 100 110 100 101 102 103 104 0.1 1.0 04080120160 0.2 0.4 0.6 Kf 0.8 1.0 1.2 1.4 TVJ [°C] -diF/dt [A/μs] t[ms] 0 200 400 600 200 300 400 500 [ns] 600 700 800 900 1000 1100 1200 2 3 4 5 6 [V] 7 8 VFR 9 10 11 12 0 200 400 600 4 6 8 10 [A] 12 RM 14 16 18 20 22 0 200 400 600 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Qrr [μC] VF [ -diF/dt [A/μs] V] ZthJC [K/W] IRM Qrr VFR tfr TVJ =150°C Fig. 1 Forward current IF versus VF Fig. 2 Typ. reverse recov. charge Qrr versus -diF/dt Fig. 3 Typ. reverse recov. current IRM versus -diF/dt Fig. 4 Typ. dynamic parameters Qrr,IRM versus TVJ Fig. 5 Typ. reverse recov. time trrversus -diF/dt Fig. 6 Typ. forward recovery voltage VFR & time tfr versus diF/dt Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case 25°C IF [A] -diF /dt [A/μs] I trr -diF/dt [A/μs] tfr 0200400600 0 10 20 30 40 Erec [μJ] -diF/dt [A/μs] Fig. 7 Typ. recovery energy Erec versus -diF /dt IF = 120 A 60 A 30 A TVJ =125°C VR =270 V TVJ = 125°C VR = 270 V TVJ = 125°C VR = 270 V TVJ = 125°C VR = 270 V IF =60 A TVJ =125°C VR = 270 V 120 A 60 A 30 A 120 A 60 A 30 A 120 A 60 A 30 A Fast Diode IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. 20131101a Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified ? 2013 IXYS all rights reserved |
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