参数资料
| 型号： | DRA4-MCXE240D5 |
| 厂商： | Crydom Co. |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RELAY SSR SPST-NO 280VAC 5A DIN |
| 其它有关文件： | Declaration of Conformity |
| 特色产品： | DRA SSR Assemblies |
| 3D 型号： | DRA4-MX Series.sat DRA4-MX Series.dwg |
| 标准包装： | 8 |
| 系列： | DRA |
| 电路： | 4 x SPST-NO（1 Form A） |
| 输出类型： | AC，过零 |
| 负载电流： | 5A |
| 输入电压： | 15 ~ 32VDC |
| 电压 - 负载： | 12 ~ 280 V |
| 安装类型： | DIN 轨道 |
| 端接类型： | 螺丝端子 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 包装： | 散装 |
| 继电器类型： | 继电器 |
| 产品目录页面： | 2643 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | CC1741 DRA4-MCXE240D5-ND |
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01/2010
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0395173309 | 3.81MM EURO PLUG STR BLK 9POS |
| 10PCV2440 | POWER CONTROL SSR 40A DC IN |
| 0395172409 | 3.81MM EURO PLUG STR BLK 9POS |
| 0395172309 | 3.81MM EURO PLUG STR BLK 9POS |
| G3NA-275B-UTU AC100-240 | RELAY SSR 75A@240VAC 120VAC IN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DRA5 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:5.0A Reverse Blocking Thyristor |
| DRA5113Z0L | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DRA5114E0L | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DRA5114T0L | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| DRA5114Y0L | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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