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参数资料
| 型号： | DS1216H |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMARTWATCH/RAM 5V 4M 32DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 11 |
| 控制器类型： | Smartwatch RAM |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP（0.600"，15.24mm）插口 |
| 供应商设备封装： | 32-DIP 插口 |
| 包装： | 管件 |
DS1216 SmartWatch RAM/SmartWatch ROM
10 of 15
CAPACITANCE
(TA = +25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
CIN
5
pF
Output Capacitance
COUT
7
pF
Expected Data Retention
tDR
10
years
14
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VCC = 4.5V to 5.5V, TA = 0°C to +70°C.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
75
ns
CE
Access Time
tCO
65
ns
OE
Access Time
tOE
65
ns
CE
to Output Low-Z
tCOE
6
ns
OE
to Output Low-Z
tOEE
6
ns
CE
to Output High-Z
tOD
30
ns
OE
to Output High-Z
tODO
30
ns
Address Setup Time (ROM)
tAS
20
11
Address Hold Time (ROM)
tAH
10
12
Read Recovery
tRR
15
ns
Write Cycle Time
tWC
75
ns
Write Pulse Width
tWP
75
ns
Write Recovery
tWR
15
ns
9
Data Setup Time
tDS
35
ns
10
Data Hold Time
tDH
0
ns
10
CE
Pulse Width
tCW
65
ns
RST
Pulse Width
tRST
75
ns
CE
Propagation Delay
tPD
6
ns
7
CE
High to Power-Fail
tPF
0
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R2D12-1205/HP-R | CONV DC/DC 2W +/-5VOUT SMD |
| DS1216F | IC SMART/ROM 3V 64/256/1M 32DIP |
| R2D12-1212/HP-R | CONV DC/DC 2W +/-12VOUT SMD |
| ISL80103IR18Z-TK | IC REG LDO 1.8V 3A 10DFN |
| R2D12-2415/H-R | CONV DC/DC 2W +/-15VOUT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1216MP000 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:100A,PLG,2P3W,MG,216,208V |
| DS1216MR000 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:100A,NLT,2P3W,MG,216,208V |
| DS1216MRA00 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:100A,NLT,2P3W,MG,AGL,208V |
| DS1217 | 制造商:BB 制造商全称:BB 功能描述:8-Channel, 24-Bit ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER |
| DS1217A | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:Nonvolatile Read/Write Cartridge |
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