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参数资料
| 型号： | DS1217M-L04 |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RAM READ/WRITE NV LO LEAK 4MEG |
| 标准包装： | 1 |
| 存储器类型： | NVRAM |
| 存储容量： | 512KB |
| 速度： | 250ns |
| 封装/外壳： | 30-卡边缘盒式模块 |
DS1217M Nonvolatile Read/Write Cartridge
PACKAGE INFORMATION
For the latest package outline information and land patterns, go to www.maxim-ic.com/packages .
Maxim/Dallas Semiconductor cannot assume responsibility for use of any circuitry other than circuitry entirely embodied in a Maxim/Dallas Semiconductor product.
No circuit patent licenses are implied. Maxim/Dallas Semiconductor reserves the right to change the circuitry and specifications without notice at any time.
Maxim Integrated Products, 120 San Gabriel Drive, Sunnyvale, CA 94086 408-737-7600
? 2003 Maxim Integrated Products
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